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125V/2A, High-Speed,
Half-Bridge MOSFET Drivers
Typical Operating Characteristics
(Typical values are at V DD = V BST = +12V and T A = +25°C, unless otherwise specified.)
UNDERVOLTAGE LOCKOUT
V DD AND BST UNDERVOLTAGE LOCKOUT
(V DD AND V BST RISING) vs. TEMPERATURE
HYSTERESIS vs. TEMPERATURE
I DD vs. V DD
7.5
7.4
1.0
0.9
MAX5064
IN_L-, IN_H- = V DD
MAX5062/3/4 toc03
7.3
7.2
UVLO VDD
0.8
0.7
UVLO VDD
2V/div
IN_L+, IN_H+ = GND
V DD
7.1
0.6
HYSTERESIS
7.0
6.9
UVLO BST
0.5
0.4
UVLO BST
HYSTERESIS
0V
6.8
0.3
6.7
6.6
6.5
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
TEMPERATURE ( ° C)
I DDO + I BSTO vs. V DD
(f SW = 250kHz)
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.1
0
500 μ A/div
0A
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
TEMPERATURE ( ° C)
INTERNAL BST DIODE
(I-V) CHARACTERISTICS
200
180
T A = +125 ° C
160
T A = +25 ° C
140
T A = 0 ° C
120
T A = -40 ° C
100
80
60
40
20
0
40 μ s/div
I DD
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
160
V DD (V)
V DD QUIESCENT CURRENT
vs. V DD (NO SWITCHING)
MAX5064
21
V DD - V BST (V)
BST QUIESCENT CURRENT
vs. BST VOLTAGE
V BST = V DD + 1V,
140
120
100
T A = +25 ° C, T A = 0 ° C
T A = +125 ° C
18
15
12
NO SWITCHING
T A = +125 ° C
80
9
60
40
20
T A = -40 ° C
6
3
T A = -40 ° C, T A = 0 ° C, T A = +25 ° C
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V DD (V)
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V BST (V)
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